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（b）151个MoS2FET的传输特性，展馆主景距离（a）中标记区域的沟道长度为50μm。观上（e）（d）中两个域的倍频强度和理论拟合的极坐标图（°）。
对比使用六方BN或Au作为外延基底的潜在竞争技术，热门该方法使用了广泛应用的低成本C面蓝宝石，热门而这种蓝宝石可以很容易的扩展到8英寸，并且与工业技术具有良好的兼容性。然而，疫情外延关系表明蓝宝石的112¯0取向垂直于三角形TMDCs畴的锯齿（ZZ）边缘，使的两个反平行畴相等，并阻止单晶生长。作者设计了朝向蓝宝石A轴（C/A）的错切取向，防控其中A轴垂直于标准基板。
此外，相花在可扩展且与工业兼容的基底上生长晶圆级TMDCs单晶尚未得到很好的证明。实际上，花博会主花卉黑科C面（0001）蓝宝石晶片是从加工平面和晶体学平面之间具有错切角（α）的铸锭上切割而成，花博会主花卉黑科该角度可用两个垂直分量αM和αA表示，而αM和αA分别表示（0001）平面和基底表面之间沿M轴（101¯0）和A轴（112¯0）的角度。
【图文解读】图一、展馆主景蓝宝石（0001）基底与外延生长的关系（a,d）C/M和C/A蓝宝石（0001）晶片上的台阶取向以及相应的外延MoS2畴对齐。
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